MMBT5551

Introduzione del prodotto:

Caratteristiche di base
MMBT5551 è un transistor NPN adatto ai progetti di circuiti che chiedono transistor NPN.

Con 160 V, la tensione dell'emettitore del collettore (VCEO) mostra che il transistor può resistere a tensioni inverse fino a 160 V.

La corrente di collettore più alta, adatta agli usi di media potenza, è 0,6a.

La più alta dissipazione di potenza, adatta per applicazioni a bassa a media potenza, è 0,3 W.

Di solito si estende da 180 a 240, il guadagno di corrente DC (HFE) indica che il transistor ha una forte capacità di amplificazione.

La frequenza caratteristica, adatta a alcuni usi ad alta frequenza, è 80 MHz.

Adottando l'imballaggio SOT-23, questa confezione compatta per il montaggio della superficie si adatta alla progettazione di circuiti ad alta densità.

Di solito circa 0,5 V, la tensione di saturazione (VCE) è piuttosto bassa, il che aiuta a ridurre il consumo di energia e ad aumentare l'efficienza.

Taglia la corrente (ICEO): di solito nella gamma di decine di nanoamps, la corrente di taglio abbastanza modesta indica che anche la corrente di perdita del dispositivo nello stato di interruzione è piuttosto piccola.

Materiali senza piombo: rispettare le regole ROHS, questo prodotto ecologico privo di elementi pericolosi come il mercurio e il piombo.

Scheda dati:

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